-
1 двойной гетеропереход
1) Electronics: double-heterostructure junction2) Household appliances: double heterojunction3) Makarov: DH junction (double-heterostructure junction)Универсальный русско-английский словарь > двойной гетеропереход
-
2 двойной гетеропереход
Русско-английский физический словарь > двойной гетеропереход
-
3 двойной гетеропереход
double-heterostructure junction, double heterojunctionРусско-английский словарь по электронике > двойной гетеропереход
-
4 двойной гетеропереход
double-heterostructure junction, double heterojunctionРусско-английский словарь по радиоэлектронике > двойной гетеропереход
-
5 двойной гетеропереход
Русско-немецкий словарь по электронике > двойной гетеропереход
-
6 ограниченный двойной гетеропереход
Engineering: constricted double heterojunctionУниверсальный русско-английский словарь > ограниченный двойной гетеропереход
-
7 гетеропереход
м.- p-N-гетеропереход
- p-P-гетеропереход
- анизотипный гетеропереход
- бездефектный гетеропереход
- гетеропереход I рода
- гетеропереход II рода
- двойной гетеропереход
- идеальный гетеропереход
- изотипный гетеропереход
- монокристаллический гетеропереход
- невырожденный гетеропереход
- плавный гетеропереход
- реальный гетеропереход
- резкий гетеропереход
- совершенный гетеропереход
- сплавной гетеропереход
- ступенчатый гетеропереход
- тонкоплёночный гетеропереход
- эпитаксиальный гетеропереход -
8 гетеропереход
м. heterojunction -
9 гетеропереход
Русско-английский словарь по информационным технологиям > гетеропереход
-
10 гетеропереход
-
11 гетеропереход
ГетеропереходКонтакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе GaAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов. -
12 гетеропереход
ГетеропереходКонтакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе GaAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.Russian-English dictionary of Nanotechnology > гетеропереход
-
13 double heterojunction
English-russian dictionary of physics > double heterojunction
-
14 double heterojunction
English-Russian electronics dictionary > double heterojunction
-
15 double-heterostructure junction
English-Russian electronics dictionary > double-heterostructure junction
-
16 double heterojunction
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > double heterojunction
-
17 double-heterostructure junction
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > double-heterostructure junction
-
18 double heterojunction
English-Russian household appliances > double heterojunction
-
19 double heterojunction
English-Russian dictionary on household appliances > double heterojunction
-
20 Doppelheteroübergang m
Deutsch-Russische Wörterbuch der Elektronik > Doppelheteroübergang m
- 1
- 2
См. также в других словарях:
двойной гетеропереход — dviguboji įvairialytė sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double heterojunction vok. Doppelheteroübergang, m rus. двойной гетеропереход, m pranc. hétérojonction double, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Гетеропереход — GaAs/AlGaAs Гетеропереход контакт двух различных полупроводников. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах ( … Википедия
гетеропереход — Heterojunction Гетеропереход Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
Doppelheteroübergang — dviguboji įvairialytė sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double heterojunction vok. Doppelheteroübergang, m rus. двойной гетеропереход, m pranc. hétérojonction double, f … Radioelektronikos terminų žodynas
double heterojunction — dviguboji įvairialytė sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double heterojunction vok. Doppelheteroübergang, m rus. двойной гетеропереход, m pranc. hétérojonction double, f … Radioelektronikos terminų žodynas
dviguboji įvairialytė sandūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double heterojunction vok. Doppelheteroübergang, m rus. двойной гетеропереход, m pranc. hétérojonction double, f … Radioelektronikos terminų žodynas
hétérojonction double — dviguboji įvairialytė sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double heterojunction vok. Doppelheteroübergang, m rus. двойной гетеропереход, m pranc. hétérojonction double, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ИНЖEКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике (диэлектрике) в результате переноса носителей током из областей с повыш. концентрацией (металлич. контактов, гетеропереходов )под действием внеш. электрич. поля. И. н. з. приводит к… … Физическая энциклопедия
ПОВЕРХНОСТЬ — граница разделамежду двумя контактирующими средами. В разл. ситуациях употребляются такжетермины: свободная, или атом но чистая, П. (П. твёрдого тела в вакууме … Физическая энциклопедия
СВЕРХИНЖЕКЦИЯ — явление, возникающее при инжекции неосновныхносителей заряда в гетеропереходе, заключающееся в превышении концентрациинеосновных носителей в материале, в к рый происходит инжек ция, по сравнениюс концентрацией носителей в эмиттере. С. электронов… … Физическая энциклопедия
Электронно-дырочный переход — (p n переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… … Большая советская энциклопедия
